وحدة IGBT مزدوجة fuji 2MBI200S-120-50 1200V 200A | Dual IGBT Module

وحدة IGBT مزدوجة Fuji 2MBI200S-120-50

تعتبر وحدة Fuji 2MBI200S-120-50 خياراً موثوقاً للمهندسين الذين يبحثون عن أداء عالٍ في تطبيقات تحويل الطاقة. تعتمد هذه الوحدة على تقنية NPT-IGBT اليابانية المتطورة، مما يضمن توازناً دقيقاً بين سرعة التبديل وتقليل الفاقد في الطاقة، وهي مصممة خصيصاً للعمل في ظروف التشغيل الشاقة التي تتطلب استقراراً حرارياً وكهربائياً عالياً.

تتميز الوحدة بقدرتها على تحمل جهد يصل إلى 1200 فولت وتيار مستمر يبلغ 200 أمبير عند درجة حرارة هيكل 80 مئوية. بفضل تصميمها المزدوج (2 في 1) بنظام نصف جسر، توفر الوحدة مرونة كبيرة في تصميم دوائر التحكم في محركات التردد المتغير (VFD) وأنظمة السيرفو، مع جهد عزل يصل إلى 2500 فولت لضمان سلامة الدوائر الإلكترونية الحساسة.

عند التركيب، يجب مراعاة أن تبديد الطاقة يصل إلى 1500 واط لكل ترانزستور، مما يستوجب استخدام نظام تبريد فعال ومشتت حراري ذو كفاءة عالية. تأكد من إحكام ربط الوحدة بالمشتت لضمان انتقال الحرارة بشكل مثالي، وقم بفحص التوصيلات الكهربائية للتأكد من عدم وجود أي حث طفيلي قد يؤثر على سرعة التبديل العالية التي تتميز بها هذه الوحدة.

المواصفات الفنية الرئيسية

• أقصى جهد مجمع-باعث (VCES): 1200 فولت
• تيار المجمع المستمر (IC): 200 أمبير (عند 80 درجة مئوية)
• جهد التشبع (VCE sat): 2.7 فولت
• تبديد الطاقة (Pc): 1500 واط لكل ترانزستور
• جهد العزل: 2500 فولت

الحالة والضمان: المنتج جديد ومشمول بضمان متجر Nanotik لمدة شهر واحد ضد عيوب التشغيل المصنعية