ترانزستور MOSFET قناة N موديل IXTP170N075T2 فولتية 75V وتيار 170A | IXTP170N075T2 N-Channel MOSFET 75V 170A 360W TO-220

ترانزستور MOSFET قناة N بتقنية TrenchT2 بفولتية دراين-سورس 75V وتيار دراين يصل إلى 170A وقدرة تبديد 360W، وهي أرقام أعلى بكثير من الموسفتات الشائعة في الحزمة نفسها. مقاومة التوصيل المنخفضة جداً تقلل الفقد الحراري في دوائر التيار العالي، لذلك يُستخدم في العاكسات ومتحكمات المحركات ودوائر تبديل حزم البطاريات.

أبرز المزايا

• تيار دراين يصل إلى 170A في حزمة TO-220 قياسية
• قدرة تبديد 360W تفوق معظم بدائل هذه الحزمة
• تقنية TrenchT2 لمقاومة توصيل منخفضة جداً
• فولتية 75V تمنح هامشاً مريحاً على أنظمة 48V
• مناسب للتوصيل على التوازي لرفع التيار الكلي

الاستخدامات الشائعة

• العاكسات ومراحل القدرة في أنظمة 12V و24V و48V
• متحكمات محركات الدراجات الكهربائية والسكوترات
• مفاتيح الحماية والفصل في حزم بطاريات الليثيوم
• دوائر التبديل عالية التيار في أنظمة الطاقة الشمسية

ملاحظة: الأرقام القصوى مقيسة عند 25°C وبأطراف مثالية؛ عملياً يحدّ سلك الطرف والمشتت الحراري التيار الفعلي، لذا صمّم المسارات النحاسية بعرض كافٍ واستخدم مشتتاً حرارياً جيداً.