ترانزستور MOSFET قناة N طراز IRF640 بفولتية 200V وتيار 18A حزمة TO-220 | IRF640 N-Channel MOSFET 200V 18A TO-220

ترانزستور MOSFET من نوع القناة N بتقنية HEXFET يتحمل فولتية 200V بين المصرف والمنبع وتياراً مستمراً يصل إلى 18A بمقاومة توصيل منخفضة تبلغ نحو 0.15Ω. يجمع بين سرعة تبديل عالية وخسائر توصيل قليلة، لذا يستخدم في مصادر التغذية التبديلية والعاكسات ودوائر التحكم بالمحركات وأنظمة الإنارة عالية التيار.

أبرز المزايا

• تحمّل فولتية 200V يمنح هامش أمان جيداً في دوائر 24V و48V و110V
• مقاومة توصيل نحو 0.15Ω تقلل الحرارة المتولدة عند التيارات العالية
• سرعة تبديل عالية تناسب دوائر PWM والتحويل بالترددات المرتفعة
• دايود عكسي داخلي يحمي الدائرة من نبضات الأحمال الحثية
• حزمة TO-220 بلسان معدني تسمح بتركيب مشتت حراري بسهولة

الاستخدامات الشائعة

• مصادر تغذية تبديلية ودوائر العاكسات inverters
• التحكم بسرعة المحركات وشرائط الإنارة بإشارة PWM
• دوائر تبديل الأحمال عالية التيار في اللوحات الصناعية

ملاحظة: هذا الترانزستور ليس من نوع logic level ويحتاج فولتية بوابة قريبة من 10V ليصل إلى مقاومة التوصيل الكاملة؛ قيادته مباشرة من طرف Arduino بـ 5V تبقيه في المنطقة الخطية فيسخن بشدة، لذا استخدم سائق بوابة مناسباً.